三大記憶體公司下一代寬頻記憶體競爭激烈，韓國預定上半年量產

三星電子近日宣布，已成功開發出業界首款採用12層堆疊技術的36GB高頻寬記憶體（HBM）DRAM。 24吉比
透過在DRAM晶片中使用矽通孔（TSV），我們實現了12層堆疊HBM3E（第五代HBM）12H（12層堆疊）。
該公司將於今年1月至6月開始批量生產該產品。它計劃與先前決定供貨的8層堆疊HBM3E 8H一起供貨。
佔據DRAM市場較大份額的三星電子、SK海力士、美國美光預計最早將於3月加速其尖端HBM3E產品的開發和量產。
美光在其網站上宣布已開始量產HBM3E。 24GB HBM3E 8H（8層堆疊）產品將於4月至6月期間從美國半導體大學出貨。
據說它被安裝在NVIDIA的圖像處理半導體（GPU）“H200”中。另一方面，SK海力士表示：「HBM3E
8H'於一月開始量產。 12層堆疊產品符合半導體裝置的JEDEC標準。
它將與 8 層層壓產品的高度相同。”業界預計HBM4將於2026年左右正式量產。