同時,三星電子宣布“8層和12層HBM3E均已投入量產。”然而,7-9月期間的供應量落後於最初的預測,這使得我們很難擴大在HBM市場的份額。
這是一個不清楚的情況。 三星電子用於製造 HBM3E 的 14 奈米級 (1a) DRAM 的性能據說不如 SK 海力士。對於這款三星
據說 Denshi 正在為 HBM 生產重新設計 1a DRAM。 因此,有可能與主要代工廠(半導體代工)台積電(TSMC)合作。
。到目前為止,三星電子一直強調一站式解決方案,提供從設計到記憶體再到代工(合約半導體製造)的一切。 HBM 封裝底部
該公司原計劃在同一家公司內部製造基礎模具,但這項政策已經改變。如今一直保持市場第一地位的記憶體業務陷入危機,HBM必須
經研究決定,有必要提升公司技術能力。合作有可能不僅在基礎晶片領域,在台積電被認為具有優勢的封裝領域也有可能推進。
2024/11/19 09:12 KST
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